به منظور بررسی و تحلیل رفتار قطعه مجتمع اپتوالکترونیک با ساختار کوانتومی پیش از هر چیزی باید مشخصه های فیزی ناشی از بکارگیری ساختارهای کوانتومی متفاوت در اجزای قطعه تشکیل دهنده آن را بررسی و محاسبه نمود. یک ساختار کوانتومی می تواند شامل مجموعه ای متناوب از چاه های پتانسیل مستطیل شکل یک تایی و یا چند تایی باشد که ممکن است بدون کرنش و یا تحت کرنش تراکمی یا کششی باشند. برای بررسی خواص نوری ساختارهای چاه کوانتومی، محاسبه ساختار نواری و توابع مج الکترون و حفره ضروری است. بنابراین در بخشی از این جزوه نحوه محاسبه ساختار نواری نوار هدایت و ظرفیت در نیمه رساناهای گاف مستقیم حول لبه نوار با استفاده از نظریه بلاخ و روش K.P و لحاظ کردن اختلاط ترازهای نوار ظرفیت و اثرات کرنش تراکمی یا کششی و میدان الکترکی ارائه می شود.

این جزوه شامل 47 صفحه و در قالب PDF ارائه شده است.