در این مقاله، تجزیه و تحلیل عددی پارامترهای سلول خورشیدی CIGS مانند ولتاژ مدار باز، جریان اتصال کوتاه، حداکثر توان، ضریب پری و بازده کوانتومی خارجی به عنوان تابعی از شکاف باند لایه جاذب انجام شده است. این پارامترها به عنوان پارامترهای اصلی یک سلول خورشیدی برای تعیین عملکرد آن استفاده می شوند. در این مقاله، با تغییر ترکیب آلیاژ، شکاف باند لایه جاذب CIGS تغییر می یابد. برای شبیه سازی، از نرم افزار SILVACO ATLAS برای انجام شبیه سازی سلول خورشیدی CIGS تحت طیف استاندارد AM1.5 استفاده شده است. بر اساس شبیه سازی های انجام شده، ولتاژ مدار باز و ماکزیمم توان تقریباً به صورت خطی با شکاف باند افزایش می یابند. با این حال، تغییر در جریان اتصال کوتاه و ضریب پری با شکاف باند CIGS هیچ رابطه ای را نشان نمی دهد. لازم به ذکر است که تمام نمودارهای این مقاله، به جز نمودار آخر به طور کامل بدست آمده اند و نتایج بدست آمده از شبیه سازی ها، بسیار مشابه مقادیر درج شده در مقاله می باشند. همچنین یک فایل ویدیویی برای آموزش نحوه راه اندازی و استفاده از فایل های برنامه در کنار فایل های شبیه سازی وجود دارد.