حضور و عملکرد پیوند تونلی و لایه های میدان سطح پشتی (BSF) دلیل اصلی راندمان بالای سلول های خورشیدی چند پیوند است. در این کار، روی انتخاب یک ماده مناسب برای پیوند تونلی همراه با معرفی یک لایه BSF جدید در سلول بالا تمرکز شده است. در این پست، شبیه سازی مقاله Design and evaluation of ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell with InGaP tunnel junction and optimized double top BSF layer در سیلواکو انجام شده و نتایج بدست آمده شباهت بسیار زیادی با مقادیر درج شده در مقاله دارند.
نتایج بدست آمده در شبیه سازی برابرند با:

Jsc=1.81816e-008
Voc=2.69409
FF=88.0867
Eff=41.2259