مفهوم مهندسی بندگپ در نیمه هادی های مرکب نظیر گالیم آرسناید (GaAs) و ایندیم فسفات (InP) بکار گرفته شده است، تا بتوان به دسته ای از افزاره های الکترونیکی نوین دست یافت. یک ترانزیستور مهندسی بندگپ شده از نظر ساختاری به گونه ای تغییر یافته تا بتوان استاندارد های بخصوصی از افزاره را بهبود داد (مانند سرعت). یک طراح ترانزیستور ممکن است که تصمیم به ساخت ترانزیستوری با بیس و کلکتوری از جنس GaAs ولی امیتری از جنس AlGaAs بگیرد. چنین افزاره ای دارای خصوصیات الکتریکی است که ذاتاً بسیار بهتر از آن چیزی است که می توان تنها با استفاده از یک نوع نیمه هادی دست یافت. همچنین برای ترکیب دو ماده متفاوت مهندسی بندگپ گاهاً شامل یک شیب ساختاری از ماده درون افزاره می شود. برای مثال: فردی ممکن است در نظر بگیرد که تابع مول آلومینیوم موجود در یک ترانزیستور AlGaAs/GaAs را در طول امیتر از 0.4 تا 0.6 متغیر در نظر بگیرد. طراحان افزاره در این جست و جو بوده اند که تکنیک های مهندسی بندگپ مورد استفاده در تکنولوژی نیمه هادی هادی مرکب را با بلوغ ساخت، عملکرد بالا و هزینه پایین مربوط به سیلیکون معمول مورد استفاده در صنعت مدار مجتمع ترکیب کنند. آلیاژ سیلیکون – ژرمانیوم همبافته، پتانسیل قابل توجهی برای تحقق بخشیدن به ترانزیستور های مهندسی بندگپ شده در سیستم مواد سیلیکونی از خود نشان می دهد. اهمیت این موضوع از آن جهت است که می تواند این اجازه را به افزاره های سیلیکونی داد که عملکردی داشته باشند که زمانی تصور می شد غیر ممکن است. به این ترتیب تعداد مدارهای پربازده که از تکنولوژی سیلیکونی استفاده می کنند را نیز چند برابر کند. این فصل که به مرور پیشرفت های اخیر در تکنولوژی ترانزیستور های نا متجانس دو قطبی (HBT) یا اثر میدانی (HFet) از جنس SiGe می پردازد، بطور کامل در 16 صفحه به فارسی ترجمه شده است و در قالب ورد برای دانلود ارائه شده است.