در این فایل، شبیه سازی یک مقاله بسیار معتبر با عنوان Design and evaluation of ARC less InGaP/AlGaInP DJ solar cell ارائه شده است. یک فایل راهنمای جامع در قالب پی دی اف نیز جهت آموزش کدها ارائه شده است. در کنار این فایل ها، یک فایل آموزش ویدیویی با کیفیت بالا از نحوه اجرای کدها تهیه شده که به یادگیری نحوه اجرا و جواب گرفتن از نمودار های مختلف کمک می کند.

 در این پژوهش، ولتاژ مدار باز بسیار بالایی در ساختار سلول خورشیدی مبتنی بر GaInP/GaAs با استفاده از نیمه هادی AlGaInP به جای GaAs بدست آمده است. زیرا این ماده شکاف باند بزرگتری نسبت به GaAs دارد. ساختار بهینه شده دارای تراکم ناخالصی 2e19 و 2e17 برای نیمه هادی های نوع p و n بوده و ضخامت نواحی p و n آن به ترتیب 0.5 و 3.0 میکرومتر می باشد. در این مقاله، سلول شبیه سازی شده با استفاده از Silvaco Atlas جهت بدست آوردن عملکرد بهتر، بهینه‌سازی شده و مقادیر ولتاژ مدار باز (VOC)، چگالی جریان اتصال کوتاه (JSC)، ضریب پری (FF) و بازده تبدیل (η) آن، محاسبه شده و نمودارهای نهایی نمایش داده شده اند.

در این مدل پارامترهای نرخ تولید نوری و میدان الکتریکی نیز مورد بررسی قرار گرفته اند. مقادیر FF، JSC ،VOC و EFF در مقاله برابر 3.347، 1.759، 90.09 و 53.51 و در فایل شبیه سازی شده برابر 3.39، 1.79، 91.03 و 53.06 بدست آمده اند که مقادیری بسیار مشابه مقادیر بدست آمده در مقاله می باشند. همچنین جهت مشاهده نمودارهای بدست آمده توسط این شبیه سازی می توانید از این لینک دیدن نمایید.