فایل پاورپوینت ترانزیستورهای نانو لوله کربنی CNTFET 

تماس با ما

فید خبر خوان

نقشه سایت

فروشگاه مهندس 360 | وبسایت مهندسی الکترونیک و کامپیوتر

http://kia-ir.ir

اگر به یک وب سایت یا فروشگاه رایگان با فضای نامحدود و امکانات فراوان نیاز دارید بی درنگ دکمه زیر را کلیک نمایید.

ایجاد وب سایت یا
فروشگاه حرفه ای رایگان

دسته بندی سایت

پر فروش ترین های فورکیا


    پر بازدید ترین های فورکیا

    برچسب های مهم

    پیوند ها

    اشتراک در خبرنامه

    جهت عضویت در خبرنامه لطفا ایمیل خود را ثبت نمائید

    Captcha

    آمار بازدید

    • بازدید امروز : 16
    • بازدید دیروز : 58
    • بازدید کل : 509230

    فایل پاورپوینت ترانزیستورهای نانو لوله کربنی CNTFET


    فایل پاورپوینت ترانزیستورهای نانو لوله کربنی CNTFET

    در سال 1965 آقای مور پیش بینی کرد که تعداد ترانزیستور های روی یک تراشه هر دو سال یکبار دو برابر می شود. اما این کاهش ابعاد ترانزیستور ها به زودی به پایان خواهد رسید. به عنوان مثال بخش هایی از ترانزیستورها تنها به اندازه چند اتم ضخامت دارند. بنابراین وقتی ابعاد این بخش ها به یک یا دو اتم برسند کاهش ابعاد ترانزیستورها متوقف خواهد شد. بنابراین ناچاریم به یک فناوری جدید به نام فناوری نانو رو بیاوریم. کوچک سازی ابعاد همچنین می تواند سبب کوچک تر شدن ابعاد مدارات، قیمت پایین تر، سرعت بالا تر و توان مصرفی پایین تر شود. پیش بینی ها توسط ITRS نشان می دهد که کوچک سازی CMOS ها در حدود سال 2018 با رسید به عرض کانال 20nm به پایان خواهد رسید.
     
    بزرگترین مشکل برای کاهش ابعاد ترانزیستورها، مسائل اقتصادی مربوط به آنهاست. با وجودیکه این فرایند امکان ساخت مدارات و سیستم های قابل اطمینان را به ما می دهد، کاهش ابعاد، تولید ماسک های قابل اطمینان را بسیار گران می کند. به هر حال دو مشکل اساسی وجود دارند که نیاز به حل آنهاست. اول هزینه های سرسام آور و دوم محدودیت های اندازه فیزیکی. راه حل این مشکلات استفاده از فناوری نانو است. بطور مثال سیم ها، دیودها و ترانزیستور ها و... می توانند با این تکنولوژی کوچک سازی شوند.
     
    در این مجموعه فایل به بررسی ترانزیستور های نانو لوله کربنی CNTFET پرداخته شده و همچنین کلیه فایل های مربوط به پروژه فایل اصلی پاورپوینت، رفرنس ها و مقالات و بخضی از فایل های ترجمه شده، خلاصه گزارش و دو پایان نامه در این خصوص در این مجموعه قرار گرفته است.
     
    فهرست مطالب:
     
    مقدمه:
    قانون مور
    موانع کاهش ابعاد ترانزیستورهای سیلیکونی
     
    نانو:
    نانو لوله و انواع آن
    قوس الکتریکی، CVD و تبخیر لیزری
    ساختار
    نمودار جریان نسبت به VGS و VDS
     
    مقایسه:
    مقایسه با دیگر افزاره ها با کانال حدود 10 نانومتر
     
    شبیه سازی:
    متدهای شبیه سازی
    نرم افزار
     
    نتیجه گیری:
    ویژگی های و چالش های نانو لوله کربنی
    نتیجه گیری
     

      انتشار : ۱ خرداد ۱۳۹۵               تعداد بازدید : 2064

    برچسب های مهم


    مطالب تصادفی

    • جزوه فیزیک الکترونیک - دکتر قدیمی
    • جزوه الکترونیک 3 - دکتر قدیمی
    • جزوه بهره برداری سیستمهای قدرت
    • جزوه مقدمه ای بر هوش محاسباتی زیستی
    • جزوه اصول سیستمهای تصویر نگار پزشکی
    • زبان ماشین و برنامه سازی سیستم (زبان اسمبلی) به زبان فارسی
    • آموزش اکسس Access 2007
    • آموزش کامل Excel
    • الگوریتم برنامه نویسی
    • آموزش کامل Excel

    تمام حقوق مادی و معنوی این وب سایت متعلق به "" می باشد